SK海力士年内将量产375层3D NAND 首度引入钼材料突破工艺瓶颈

在NAND闪存堆叠层数的竞赛中，SK海力士与三星正展开激烈比拼。三星此前已透露将通过双堆叠方案将V-NAND层数推升至400层以上，并已展示最高可达900层、以1000层为目标的技术路线图，而SK海力士则选择以375层产品作为阶段性节点切入量产。据了解，SK海力士内部最初将这一代产品定位为“400层级”NAND，但在实际开发过程中，由于在同一芯片内堆叠过多层数时遇到严重的工艺与信号传输难题，最终将设计修正为375层。行业人士透露，原本规划的400层级产品被调整为375层，后续路线图则延伸至480层和604层等更高堆叠的产品节点。

要继续向480层、604层等更高堆叠迈进，单靠现有材料体系已经难以为继。报道指出，SK海力士需要在关键导电材料上进行重大调整，逐步放弃目前普遍采用的钨薄膜，转而采用钼作为新的互连材料，以应对高层数堆叠带来的电阻与信号完整性挑战。在高层数3D NAND结构中，随着垂直方向导线和通道尺寸不断缩小，钨的电阻难以控制，信号传输损耗和延迟问题愈发突出，成为继续增加堆叠层数的“材料天花板”。与之相比，钼在高电阻环境下具有更优的性能表现，能够在更窄的布线条件下保持较好的导通特性，因此被视为突破高层堆叠限制的关键材料之一。

三星已经在其部分NAND工艺中率先导入钼材料，并计划今年进一步优化V-NAND生产流程，推出首批400层级产品，以巩固其在高端存储市场的领先地位。SK海力士则将在跟进更高层数产品时同步完成从钨到钼的材料切换，以缩小与竞争对手的技术差距。

随着AI、云计算、高性能终端与企业级数据中心对存储容量和性能需求持续攀升，3D NAND层数的不断提升被视为提升单颗芯片比特密度、降低单位存储成本的关键方向。然而，这也意味着晶圆厂需要投入更多资金采购新材料、升级设备与转换产线，以支撑更高复杂度的堆叠与加工流程。以钼为例，其需求量在近几年显著增长，已成为NAND供应链中的重要原材料之一。报道称，三星去年采购了约4吨钼，今年迄今为止的采购量已增至约10吨，而随着SK海力士等厂商导入钼，预计今年其用量也将达到约4吨。

产业机构预测，随着400层级及更高层数NAND进入量产阶段，钼的市场需求将快速攀升：到2027年预计达到25吨，2028年增至40吨，2029年约为60吨，并在2030年左右进一步攀升至80吨规模。在这一过程中，材料供应、成本控制与技术迭代将共同决定NAND厂商在高层堆叠时代的竞争格局。对于SK海力士而言，375层NAND的量产不仅是对其工艺能力的阶段性验证，也是向480层、604层乃至更高层数演进的技术跳板。如何在保持良率与成本之间取得平衡，同时顺利完成从钨到钼等关键材料的迁移，将直接影响其在与三星等竞争对手的角逐中能否占据有利位置。